• РусскийEnglishDeutschFrançaisEspañol中文(简体)
  • Прием заявок на конкурсы «СТАРТ-1» и «СТАРТ-2» открыт

    22.04.2021

    Фонд содействия инновациям объявил об открытии приема заявок на участие в программах «Старт-1» и «Старт-2», направленных на создание новых и поддержку существующих малых инновационных предприятий с использованием результатов собственных научно-технических и технологических исследований, имеющих значительный потенциал коммерциализации.

    Размер грантовой поддержки по конкурсу «Старт-1» составляет до 3 million rubles; «Старт-2» – up to 7 million rubles.

    Подать заявку Вы можете через систему АС Фонд-М по адресу: http://online.fasie.ru.

    В рамках Программы отбираются проекты по следующим направлениям:

    H1. Цифровые технологии;

    H2. Медицина и технологии здоровьесбережения;

    H3. Новые материалы и химические технологии;

    H4. Новые приборы и интеллектуальные производственные технологии;

    H5. Biotechnology;

    6. Ресурсосберегающая энергетика.

    Программа реализуется в два этапа:

    1-й этапконкурс «Старт-1»;

    2-й этапконкурс «Старт-2».

    В ходе реализации 1-го этапа Программы проводятся прикладные научные исследования и экспериментальные разработки, которые позволят проверить реализуемость заложенных в НИОКР научно-технических подходов и решений. Результаты НИОКР в течение 1-го этапа выполнения Программы должны создавать предпосылки для привлечения инвестора для софинансирования проекта со 2-го этапа Программы.

    Заявки на конкурс «Старт-1» принимаются до 31 may 2021 of the year, на конкурс «Старт-2»непрерывно в течение года.

    Подробные условия и порядок участия в Программе находятся в Положении о конкурсе «Старт-1» and in the Положении о конкурсе «Старт-2».

    В случае технических проблем при заполнении заявок, просим обращаться в службу технической поддержки по телефону +7 (495) 231-19-06 Ext. 196, в рабочие дни с 9:00 up to 13:00 and with the 14:00 up to 18:00, Moscow time, или e-mail: support@fasie.ru.

    Отдел медиа и внешних коммуникаций

    Leave a Reply

    Your email address will not be published. Required fields are marked *